バンプ・配線形成（電解UBMめっき）／半導体ウエハ

バンプ・配線・Padめっきラインナップ

お客様の製品設計／用途／課題に合わせ、最適なバンプ・配線・Padめっき技術をご提案いたします。
まずは、お気軽にご相談ください。

・めっき種：Cu、Ni、Au、SnAg、AuSn、In、Rhなど
　※Cu/Ni/Au、Cu/Ni/SnAg、Ni/Au、Cu/SnAgなどご要望に合わせ様々な組み合せに対応します。
　※上記にない膜種もご相談ください

・めっき膜厚：ご要望／用途に合わせ薄膜～厚膜（MAX100μｍ程度）まで対応します。

・製品基材　：Φ4～12インチまで対応
　※上記以外のサイズ、100μｍレベルの薄型ウエハ、四角形状、特殊材料/形状はご相談ください。

・バンプ・配線などのパターニングめっきだけでなく、全面めっきにも対応します。

～詳細対応内容については、ダウンロード資料ご覧ください～

めっきはもちろん、シード形成・フォトリソ含めた一貫工程も対応可能

バンプ・配線形成において、めっきのみはもちろん、その前後工程となる、スパッタによるシード層の形成や、露光/現像によるレジストパターニング、レジスト・シード層剥離⼯程まで、当社は関連する設備・技術を保有しており、⼀貫工程での対応も可能です。ワンストップで加工ができるため、お客様の設計期間短縮にも貢献します。

・スパッタ　　：Ti,Cu,Al,Niの薄膜シード層作成が可能です。
　　　　　　　　※膜厚・層構成はご要望に合わせ対応します。
・フォトリソ　：露光装置はアライナータイプで、マスク作成から対応可能です。
・電解めっき　：前項をご覧ください。
・レジスト剥離：レジスト材質に合わせた剥離が可能です。
・シード剥離　：スパッタ形成したTiやCuのシード層をエッチングします。
　　　　　　　    サイドエッチングを抑えた選択的なエッチングが可能です。

マイクロバンプ/微細配線めっき対応

 当社一貫プロセスでは、マイクロバンプ、微細配線を形成できます。
・最小バンプサイズ：Φ20μm×H30μm
・最⼩配線ライン　：L/S＝10μm/10μm×H15μｍ

めっき工程のみの場合、より微小・微細パターンの加工実績がございます。
・最小バンプサイズ：Φ5μm以下
・最小配線ライン　：L/S＝3/3μm以下  
※めっき膜厚や形状によって対応が異なりますので、ご相談ください。

※詳細対応内容については、ダウンロード資料ご覧ください

高低差基板への追従配線めっき

３次元実装・高密度実装に必要となる座繰り基板の場合でも、基板の高低差に追従した配線めっきが可能です。

・配線幅は、最小30μmまで対応
・深さ300μmの急勾配にも配線形成

※座繰りの勾配・形状により対応が異なりますので、ご相談ください。

ダウンロード資料内容

■ウエハサイズ・工程別対応一覧

■バンプ径・高さ別対応一覧

■バンプめっき加工事例

■配線めっき加工事例