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TSVめっき技術

エッジ部分へのめっき析出を抑制し、ビア部の穴を埋めることができます。

【TSVめっき技術の特徴】
その@
 エッジ部分へのめっき析出を抑制する。
そのA
 ビア底からのめっきボトムアップ析出またはスルーホール中心からの成長を狙う。

【TSVめっき技術の用途】
 イメージセンサやメモリーなどのSiP(System in Package)の貫通電極として利用

※TSVとは、半導体ダイ3次元(3D)積層技術「スルー・シリコン・ビア(TSV:Through-Silicon Via)」



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TSVめっき技術

テーマ:心ときめく技術力    【 2011年07月08日 】