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NEW TSVめっき技術(インターネプコン特集)

本年度もインターネプコン展に出展します。

今回は、NEW TSVめっき技術を紹介、展示しています。
従来TSVプロセスは、
 ・表面のCuがムダ
 ・CMP工程が高コスト
である課題がありました。

清川で開発したNEW TSVプロセスめっきは、
 ・DFRマスキングを使用することで、めっきを析出するビア部分のみ開孔
 ・ビア内にのみCu埋め込みめっき
→Cu資源の節約!
→CMPレスも可能!

会 期 2011年1月19日(水)〜21日(金) 10:00〜18:00 (21日(金)のみ17:00終了)
会 場 東京ビッグサイト

清川メッキブース所在地
 東館・・・半導体パッケージ展
 小間番号(ブース番号)・・・東17-26

是非お立ち寄りください。


リンク
第40回 インターネプコン・ジャパン(2011)

リンク
第12回 半導体パッケージング技術展

テーマ:心ときめく技術力    【 2011年01月18日 】