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半導体用語解説シリーズ。シリーズ第5回目は『な行』。

●ナノテクノロジ(nanotechnology)
1ナノメートル(nm)ってどの位の長さ?答えは・・・
10億分の1メートル(m) = 千万分の1センチメートル(cm)
= 百万分の1ミリメートル(mm) = 千分の1ミクロン(µm)
原子5個分程度の大きさに相当する。
アメリカのクリントン大統領が「国会図書館の情報を1個のチップに収める」という国家プロジェクトを打ち出したことによって一気に広まった。エレクトロニクス、先端材料、バイオ、化学、医療、エネルギー、環境などあらゆる分野で大きく発展すると見られている。

●鉛フリーはんだ(Lead(Pb)-free soldering, Pb less solder)
鉛(Pb)を含まないはんだ(フラックス、ペースト)および実装技術。
鉛フリー(鉛レス)と言っても、全く鉛を含まないものだけでなく、鉛の含有量を削減したものまで各種ある。一般的に、はんだは鉛と錫の合金(Pb-Sn)であるが、これに代わって、
錫と銀の合金(Sn-Ag)に銅(Cu)やビスマス(Bi)を添加したもの
錫とビスマスの合金(Sn-Bi)に銅(Cu)や銀(Ag)を添加したもの
錫と亜鉛の合金(Sn-Zn)にインジウム(In)や銅(Cu)、銀(Ag)を添加したもの
などが開発されている。しかし、融点が高くなったり、代替物質の妥当性や品質・信頼性などにおける課題も多い。

●二酸化シリコン(silicon dioxide)
シリコンの酸化膜のことで、一般的に「酸化膜」という。シリコン(Si)と酸素(O2)の化合物(SiO2)で、非常に安定な膜である。電気的な絶縁が必要な部分など、様々なところで用いられる。

●熱CVD(thermal CVD)
熱化学気相成長法ともいう。ウェハや膜堆積用材料ガスを200〜900℃に加熱することで、活性な原子・分子・イオン・ラジカルなどを発生させてウェハと化学反応を起こし成膜する。成膜時の圧力によって、常圧CVD・減圧CVDに分類される。

●熱酸化(thermal oxidation)
高温にしたシリコン(Si)を酸化性雰囲気にさらし、シリコンと酸素あるいはシリコンと水分を化学反応させることでシリコンの酸化膜(SiO2)を形成すること。

●熱窒化(thermal nitridation)
高温にしたシリコン(Si)を窒素やアンモニアガス雰囲気にさらし、シリコンと窒素を化学反応させることでシリコンの窒化膜(Si3N4)を形成すること。


次回は『は行』について解説します。


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半導体用語解説シリーズ

テーマ:心ときめく技術力    【 2010年06月14日 】