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狭ピッチ電解バンプ作成技術

近年市場では半導体ウエハでの狭ピッチ化が進んでおります。微小パッドへの半田バンプ形成はボール搭載や半田印刷では困難とされており、めっきでの半田バンプ形成が注目をあびております。そこで、当社の電解バンプめっき技術により安定したバンプ形成が可能となります。

シード層スパッタ〜めっきバンプ作成〜リフローまでの一括した半田バンプの作成が可能
 ・スパッタ膜は、Ti、Cu、Ni、Al、A−Si
 ・電解めっきは、Sn−Ag、Sn−Bi、純Sn、Auなど
 ・バンプ径はφ20μm以上
 ・バンプ高さは任意(基本的にはアスペクト比2程度まで)
 ・ウェハサイズはφ〜8インチ(スパッタ→めっき→リフロー)
            φ12インチ(スパッタ→めっき)
            ※別途お打合せ願います


リンク
ウェハへの無電解バンプめっき技術

テーマ:心ときめく技術力    【 2010年06月10日 】