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半導体用語解説シリーズ。シリーズ第4回目は『た行』

●ダイシング(dicing)
ウェハ製造工程で完成したウェハ上のチップを、スクライブライン(ダイシングするために予め設けられた、幅約50µmほどの溝)に沿ってダイヤモンドカッタ(ブレード)で切断し、1個1個のチップに分割する工程。1枚のウェハには少ないもので数チップ、多くいものだと1万以上のチップがある。

●多層配線(multi-layer interconnection)
2層以上の複数配線を縦方向に積み重ねたICの配線構造。一般的には、アルミニウム(Al)や銅(Cu)のメタル配線を意味する。システムLSIのように大規模化・大集積化のものには多層配線が多く利用されている。

●チップ(chip)
ダイ(die)ともいう。ICやLSIの代名詞として使われており、デバイス機能あるいは電子回路を作り込んだシリコン基板の小片。ICの種類や回路の複雑さ・集積度によって、チップの寸法は様々。

●チャンバ(chamber)
物理的及び化学的反応を起こさせるための密封した反応容器。気相成長やスパッタリング、エッチング等の各装置で使われている。

●デポジション(deposition)
LSI製造工程で薄膜を堆積する工程をいう。気相成長法(CVD、PVD、スパッタリング)を用いる。膜形成の手段には、印刷法、スピンコート法、めっき法、印刷法(スクリーン印刷)などが他にある。

●銅配線(copper wiring)
ICの配線材料としてはアルミニウム(Al)が一般的であるが、配線遅延の解消や高速化を目的として銅(Cu)配線の採用が増えてきている。銅配線に変えると、従来のアルミニウム系の材料に比べて電気抵抗率が約半分となる。

●ドーピング(doping)
半導体製品の製造において、純粋な半導体にごく少量の添加物を添加すること。添加物は通常、不純物(ドーパント)と呼ばれ、ドープされた半導体を不純物半導体と呼ぶ。
添加物の種類によってn型半導体やp型半導体が形成される。これらの不純物半導体を接合(pn接合)させることでダイオードやトランジスタが作られる。


次回は『な行』について解説します。


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半導体用語解説シリーズ

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ウェハへの無電解バンプめっき技術

テーマ:心ときめく技術力    【 2010年04月13日 】