スマートフォン版を表示

過去のニュース一覧

カレンダー
今月へ戻る
<<先月  2019年3月  来月>>
1 2
3 4 5 6 7 8 9
10 11 12 13 14 15 16
17 18 19 20 21 22 23
24 25 26 27 28 29 30
31
テーマ別 最新の記事 アーカイブ

フォトリソグラフィ技術の基礎知識

<目的> 光を利用し、基板に微細パターンをレジストパターンとして転写することを目的とします。
<用途> IC(集積回路)、 LSI(大規模集積回路)などの半導体素子、プリント基板、液晶ディスプレイなど、フォトリソグラフィ技術は幅広く利用されています。
<工程>
@レジスト塗布(Resist Coat)
フォトリソグラフィー技術の最初の工程として、基板にフォトレジスト(レジスト)と呼ばれる感光性樹脂を塗布します。
★レジストの種類
 ポジ型・・・感光部が溶解
 ネガ型・・・感光部が残存
Aプリベーク(Pre-Bake)
レジストは有機溶剤により液体の状態です。この状態のレジストに熱を加えることで、有機溶剤を蒸発させ、膜を緻密にします。
B露光(Exposure)
フォトマスクを利用することで、感光する場所をコントロールし、所望のパターンを形成します。
★フォトマスク
 光を透過させる場所(透明)、透過させない場所(黒)をガラスなどに描写したもの
★光の波長
g線 ・・・ 436nm h線 ・・・ 405nm
i線 ・・・ 365nm
 ・波長が短いほど高解像度
  ※レジストの種類によって
    波長を選択する必要あり

CPEB(Post Exposure Bake)
露光により反応した感光体、または発生した酸をレジスト膜中で拡散させます。この工程によりレジスト膜中での均質な感光状態を計ります。
D現像(Developing)
現像液を使用し、感光によって特性の変化したレジスト部を溶解します。
★現像液の種類
<溶解速度差を利用するタイプ> 
・有機溶媒系・・・可溶性ポリマーの分子量差を利用
・アルカリ系・・・官能基の違いを利用
<溶解度差を利用するタイプ>
・有機溶媒系
Eポストベーク(Post Bake)
リンス液(水洗液)などを蒸発させ、レジスト膜の密着性、薬品耐性の向上を計ります。





リンク
(電鋳)エレクトロフォーミング

テーマ:心ときめく技術力    【 2009年10月19日 】