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Sn-Ag-Cu半田バンプめっき技術

現在、弊社では電解Pbフリー半田(Sn-Ag-Cu)パンプめっきの開発を行っております。今回はウェハ面内のバンプ膜厚分布評価および皮膜組成解析結果についてご紹介させて頂きます。8インチウェハ面内13ポイントで1ポイント5パッドの計65箇所のバンプ膜厚測定を行った結果、図1、2のように、良好な膜厚分布、均一なバンプ高さとなっていることがお分かりになると思います。また、皮膜中のSn、Ag、Cu組成をEDS(元素の定量分析)によって解析を行った結果、表1のように目標値に対してバランスのとれた組成を構成することができました。しかし、若干ながらAgの含有量が目標値よりも低くなっております。現在、Agの含有量が目標値に達するような条件選定を行っており、今後、信頼性やコストに大きく貢献できるPbフリー半田めっきの技術の更なる開発を進めていきます。


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ウェハへの無電解バンプめっき技術

テーマ:心ときめく技術力    【 2009年04月22日 】