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WetでのCu再配線形成技術

PI上への無電解めっき

UV処理により、素材表面がナノレベルで改質(ナノアンカー層)され、通常では密着の悪いPI上でも非常に密着強度の強いめっきができます。また、この厚みは50nmと非常に薄く、素材に与えるダメージも抑えられていると考えられます。

ポリイミドとNi(Cu)のナノアンカー層(50nm)を形成

ポリイミドとNi(Cu)のナノアンカー層(50nm)を形成 / WetでのCu再配線形成技術
UV技術提携:関東学院大学本間研究室

再配線パッド上への無電解Auめっき

再配線パッド上への無電解Auめっき / WetでのCu再配線形成技術
モデルパターン

All−Wet処理による独自プロセス

All−Wet処理による独自プロセス / WetでのCu再配線形成技術
シード層にドライプロセスを入れない、All−Wet処理による独自プロセスを開発!熱がかからない事で、ウエハーのソリや歪みなどのダメージを軽減し品質が向上します。更にバッチでの処理枚数Upによるリードタイム短縮、工数が削減でき、コストdownを実現できます。

その他、スパッタリングの代替として幅広く活用できる可能性を持つ優れた技術です!!

※戦略的基盤技術高度化支援事業
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