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無電解UBMめっき技術

無電解UBMめっき技術とは

半導体ウェハ上のAl系またはCu電極上に無電解めっきにてUBMを形成するめっき技術です。

当社の特徴

 @φ12インチまで対応している自動ラインを持っています。

 A長年の実績より、純Al、Al−Si、Al−Cu、Al−Si−Cuと様々なアルミ合金パッド上にも優れた析出性と接合性が有ります。

 BSiウェハの裏面をマスクすることにより、ウェハ裏面への析出を防止しています。

 CTAIKOウェハへのめっき対応も可能です。

 Dウェハ厚は平ウェハ:100μm〜、TAIKOウェハ:50μm〜の対応が可能です。

プロセス概要

プロセス概要 / 無電解UBMめっき技術

★裏面・ベベル保護
  ウェハ裏面、端部(ベベル)への析出防止を可能にします。
  TAIKO形状ウェハ裏面メタルの保護も可能です。

★めっき処理
  各種電極材料に合わせたプロセス選定が可能です。
  素材にマッチしためっき仕様設計をご提案致します。

★めっき皮膜評価
  実装を考慮した評価が可能です。
  実装観点からのめっき膜評価で確かな品質をお客様にお届け致します。

特徴@:裏面・べベル部の保護

特徴@:裏面・べベル部の保護 / 無電解UBMめっき技術

特徴A:めっき処理

特徴A:めっき処理 / 無電解UBMめっき技術

特徴B:めっき被膜評価

特徴B:めっき被膜評価 / 無電解UBMめっき技術

無電解バンプめっき対応表

無電解バンプめっき対応表 / 無電解UBMめっき技術
・ウェハサイズは、φ4〜φ12と幅広く対応しています。
・TAIKOウェハの様な、薄いウェハにも対応しています。
・裏面保護により、裏面への、めっき析出を防止しています。
・めっき種は、無電解Ni、Pd、フラッシュAu、厚Auと豊富です。

無電解バンプめっき技術:めっき仕様

無電解バンプめっき技術:めっき仕様 / 無電解UBMめっき技術
※φ4〜φ12インチウェハまでめっき可能です
 (試作なら小片での御対応も出来ます)
※下地電極材料はAl系およびCu系になります
※めっき仕様は無電解Ni/Auおよび無電解Ni/Pd/Au

無電解バンプめっき装置

無電解バンプめっき装置 / 無電解UBMめっき技術
※無電解バンプめっきは全自動ラインで行い、8インチまでは2キャリア、12インチは1キャリアでの生産になります。

アピールポイント

・Al配線以外にも、Cu配線へのめっきも対応しています。
・結晶配向の強いAl素材にも御対応しております。
・φ12インチウェハも御対応しております。
・TAIKOウェハもご対応しております。
・ウェハ厚はφ8インチ:130μm以上、φ6インチ:100μm以上の実績有り。
 ※それ以下のウェハ厚に関しましても、試作から御対応させていただきます。
・半田接合、ワイヤボンディング接合など、接合条件に合わせためっきをご提   案させていただきます。
・裏面メタルウェハも独自技術で保護いたします。(薄ウェハ対応)
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