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TSV向けめっき技術

TSVとは

TSVとは / TSV向けめっき技術

TSV・・・Si貫通電極のことでThrough-Silicon Viaの頭文字を取った名称で、以下の機能を持たせた半導体チップの実装技術です。

@半導体の実装技術の一つであり、Si半導体チップの内部を垂直に貫通する電極である。
A半導体チップを重ねて一つのパッケージに収める場合(3次元実装)に、従来ではワイヤボンディングで行われている上下のチップ同士の接続を貫通電極で行う。

TSVの必要性および利点

TSVの必要性および利点 / TSV向けめっき技術
TSVにより、周波数特性の向上、高密度小型化、省電力化に繋がります。

TSVの工程概略

TSVの工程概略 / TSV向けめっき技術
当社では、有底Via(ブラインドVia)および貫通Viaともにめっきでの金属埋め込みが出来ます。

めっき仕様

・ウェハサイズ:3、4、5、6、8インチウェハ(※12インチウェハは別途ご相談させてください)


・スルホール径:φ50μm以上


・ウェハ厚み:t400μm以内


・めっき金属:Cu


・個片およびウェハ1枚からでも御対応させていただきます。

特徴@:良好なビアフィリングを実現!

特徴@:良好なビアフィリングを実現! / TSV向けめっき技術

シードメタルを無電解めっきで補強する事により良好なビアフィリングを実現!

抜群のビア埋め込み性

抜群のビア埋め込み性 / TSV向けめっき技術

有底Viaに当社オリジナル広報にてボイドレスで抜群な埋め込み性を実現させています。

貫通Viaへの埋め込み性も良好

貫通Viaへの埋め込み性も良好 / TSV向けめっき技術
貫通Viaに対しても埋め込み性は良好です。

特徴A:様々なカスタムめっきに対応可能!

特徴A:様々なカスタムめっきに対応可能! / TSV向けめっき技術
当社のフォトリソ技術を使用して、TSVウェハ上に配線パターニングを行う事が出来ます。

アピールポイント

・シリコンウェハ、ガラスウェハ以外にもセラミック基板、樹脂基板のスルホールにも埋め込みめっきが出来ます。


・スルホールめっきとパターン形成めっきが同時に出来ます。


・CMP研磨レスにすることが出来ます。


・処理数は1枚からの単位で御対応出来ます(事前に条件出しが必要です)

ビア内のめっき付き性確認方法

TSV・TGVめっき後の分析方法の一つにラミノCTを用いた解析があります。
TSVのめっき状態評価が非破壊で可能!
医療現場でも用いられているX線CTと同じで、X線を照射することで物体内部の構造を透視することが可能です。
ラミノCTの特徴は、平たいもの(TSVウエハなど)でも高分解能で解析できることです。2μm〜50μmの微小状態を検出できます。CT画像例につきましては(図2)に示します。

ラミノCT装置

ラミノCT装置 / TSV向けめっき技術
ラミノCT装置

ビア内析出性確認

ビア内析出性確認 / TSV向けめっき技術
ビア内析出性確認
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